SK하이닉스, 1c D램 비중 확대..내년 주력 공정
입력:
SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) D램 생산 비중을 빠르게 늘리고 있다.
1c 비중은 올해 4분기 34%대로 확대되고 내년 1분기 35%대로 올라 1b를 추월해 주력 공정이 될 전망이다.
HBM4E부터 1c D램 적용이 본격화되면서 삼성전자·마이크론과의 미세공정 전환 경쟁도 더 치열해질 것으로 보인다.
SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) D램 생산 비중을 빠르게 늘리고 있다.
1c 비중은 올해 4분기 34%대로 확대되고 내년 1분기 35%대로 올라 1b를 추월해 주력 공정이 될 전망이다.
HBM4E부터 1c D램 적용이 본격화되면서 삼성전자·마이크론과의 미세공정 전환 경쟁도 더 치열해질 것으로 보인다.