삼성전자, FMS 2026서 400단 V낸드 첫 공개
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삼성전자가 FMS 2026에서 수직 적층 400단 이상의 10세대 V낸드 ‘V10 BV-NAND’를 업계 최초로 공개했다.
웨이퍼 본딩과 3 Stack 기술로 초고적층을 구현해 집적도를 전 세대 대비 약 58% 높이고 성능·전력효율도 개선했다.
HBM4E·HBM5·LPDDR5X-PIM·차세대 SSD 등 AI 데이터센터용 메모리·스토리지 로드맵과 원스톱 설루션 전략도 제시했다.
삼성전자가 FMS 2026에서 수직 적층 400단 이상의 10세대 V낸드 ‘V10 BV-NAND’를 업계 최초로 공개했다.
웨이퍼 본딩과 3 Stack 기술로 초고적층을 구현해 집적도를 전 세대 대비 약 58% 높이고 성능·전력효율도 개선했다.
HBM4E·HBM5·LPDDR5X-PIM·차세대 SSD 등 AI 데이터센터용 메모리·스토리지 로드맵과 원스톱 설루션 전략도 제시했다.