삼성전자, 세계 최초 5나노 M램 셀 구현
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삼성전자가 세계 최초로 5나노급 M램 셀 구현에 성공해 ‘꿈의 메모리’ 선점 경쟁에서 앞서가고 있다.
이번 5나노 M램은 -40℃부터 150℃까지 극한 환경에서도 동작해 차량용 메모리로서의 내구성과 성능을 입증했다.
삼성전자는 내년까지 5나노 M램 양산 기술을 확보할 계획이며, TSMC와의 초미세 공정 경쟁도 한층 치열해지고 있다.
삼성전자가 세계 최초로 5나노급 M램 셀 구현에 성공해 ‘꿈의 메모리’ 선점 경쟁에서 앞서가고 있다.
이번 5나노 M램은 -40℃부터 150℃까지 극한 환경에서도 동작해 차량용 메모리로서의 내구성과 성능을 입증했다.
삼성전자는 내년까지 5나노 M램 양산 기술을 확보할 계획이며, TSMC와의 초미세 공정 경쟁도 한층 치열해지고 있다.