SK하이닉스, 용인 1기 팹 2단계 골조 8월 본격화 예정
입력:
SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 2단계 골조 공사를 8월부터 본격화해 건물 착공에 나선다.
회사는 2026년부터 2030년까지 1기 팹 페이즈 2~6 건설에 21조6천81억원을 추가 투자해 총 31조원을 투입할 계획이다.
AI 서버와 데이터센터 확대로 HBM 등 첨단 D램 수요가 급증하자 SK하이닉스는 첫 클린룸 오픈 시점을 2027년 2월로 앞당기는 등 생산 인프라 확보에 속도를 내고 있다.