삼성전자, 8나노 M램 구현·양산 수율 달성
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삼성전자가 8나노 핀펫 공정을 적용한 내장형 M램 구현과 양산 수율 확보에 성공해 업계 최고 수준 기술력을 입증했다.
8나노 M램은 기존 14나노 대비 쓰기 속도가 62.5% 빨라지고 집적도가 11.5% 높아지는 등 종합 성능이 52.9% 개선됐다.
삼성전자는 올해 8나노 M램 양산에 이어 내년 5나노 M램 양산을 추진하며 TSMC와 차세대 메모리 주도권 경쟁에 나선다.
삼성전자가 8나노 핀펫 공정을 적용한 내장형 M램 구현과 양산 수율 확보에 성공해 업계 최고 수준 기술력을 입증했다.
8나노 M램은 기존 14나노 대비 쓰기 속도가 62.5% 빨라지고 집적도가 11.5% 높아지는 등 종합 성능이 52.9% 개선됐다.
삼성전자는 올해 8나노 M램 양산에 이어 내년 5나노 M램 양산을 추진하며 TSMC와 차세대 메모리 주도권 경쟁에 나선다.